Simcenter Micred T3STER SI是一款先进的无损瞬态热测试器，可对封装半导体装置（如二极管、双极型晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极晶体管、电源 LED 指示灯）和多晶片装置进行热特性分析。 Simcenter Micred T3STER SI能够比稳态方法更有效地测量真正的热瞬态响应。测量结果偏差最多为 ±0.01°C，而解算时间最多为 1 微秒，因此可产生精确的热测量值。结构函数对响应进行后处理，将其绘图以显示封装特征在热流通道上的热阻值和电容量。 Simcenter Micred T3STER SI 是一款理想的前处理和后处理应力失效检测工具。测量结果可导出用于热模型校准，从而增强热设计工作的准确性。
通过使用Simcenter Micred T3STER SI ，半导体制造商可以设计芯片和优越的散热性能IC及发布可靠的热数据给下游应用，而设备制造商能够设计出可靠的产品，避免在整个产品的生命周期热引起的故障。 与其他系统不同， Simcenter Micred T3STER SI直接测量实际加热或冷却曲线 - 封装的半导体器件的热瞬态响应 - 而不是人为地从单独的响应构成它们。 Simcenter Micred T3STER提供了一次极为精确的温度测量（0.01°C）和1微秒测量分辨率。
Simcenter Micred T3STER SI实现了最新的JEDEC热测试标准以及符合JEDEC的热电阻测量和动态特性。这也充分支持了瞬态双接口法（JEDEC JESD51-14标准，在2010年出版）和最新的LED热测试标准（JEDEC JESD51-51，51-52，出版于2012年）。
Simcenter Micred T3STER SI 僅使用電氣連接進行供電和感測，即可測試封裝 IC，快速提供可重複的結果，無需對同一部件進行多次測試。組件可進行現場測試，測試結果可作為緊湊熱模型或用於校準配合Simcenter Flotherm 或 Simcenter FloEFD詳細模型，以提高CFD的仿真的准确性。
